|
بررسی تأثیرpH بر روی خواص ساختاری و اپتوالکترونیکی نانوساختارهای دیسولفید آهن (FeS2) سنتز شده به روش الکتروانباشت
|
مریم زبرجد*   |
| گروه فیزیک، واحددزفول، دانشگاه آزاد اسلامی، دزفول، ایران ، zebarjad.m@iau.ac.ir |
|
|
چکیده: (18 مشاهده) |
در این پژوهش لایههای نازک نانوساختارهای دیسولفید آهن (FeS2) در pH های متفاوت به روش الکتروانباشت بر روی زیرلایهی FTO ساخته شدند. تأثیر pH محلولها بهعنوان پارامتر اثرگذار بر روی خواص فیزیکی لایههای نازک انباشت شده، مورد بررسی قرار گرفت. لایههای نازک تهیهشده توسط آنالیزهای پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی (FESEM)، طیفسنجی انرژی اشعه ایکس (EDX)، طیفسنجی رامان و نورتابناکی مورد مطالعه و مشخصه یابی قرار گرفتند. آنالیز XRD، پس از سولفوره کردن، فاز مکعبی دیسولفید آهن FeS2 را نشان داد. خلوص فاز نمونههای ساختهشده توسط طیفسنجی رامان و حضور عناصر Fe و S توسط آنالیز EDX مورد تأیید قرار گرفت. تصاویر حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که تغییر pH باعث تغییر در مورفولوژی، یکنواختی سطح و اندازه ذرات میشود. اندازهگیریهای انجامگرفته توسط آنالیز موت شاتکی نشان داد که رسانندگی نمونهها نوع p بوده و با کاهش pH چگالی حاملها افزایش مییابد. بیشترین چگالی حاملها با این آنالیز /cm3 1012×58/75 برای نمونه با کمترین pH اندازهگیری شد. مقدار گاف نواری حاصل از آنالیز نورتابناکی برای این نانوساختارها، 1/62 الکترونولت محاسبه گردید. این گاف انرژی، جذب مؤثر در ناحیه مرئی را تضمین کرده و زمینهساز استفاده از این ساختارها در ادوات فتوولتائیک خواهد بود. با توجه به نتایج بهدستآمده، این ماده پتانسیل استفاده در ساخت ادوات اپتوالکترونیکی پربازده را دارا میباشد. |
|
| واژههای کلیدی: نانوساختارهای دیسولفید آهن، پیریت، الکتروانباشت، موت شاتکی، خواص اپتوالکترونیکی، ولتاژ فلت باند |
|
|
متن کامل [PDF 1822 kb]
(13 دریافت)
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصي
دریافت: 1404/9/2 | پذیرش: 1404/11/30 | انتشار: 1404/12/10
|
| * نشانی نویسنده مسئول: گروه فیزیک، واحددزفول، دانشگاه آزاد اسلامی، دزفول، ایران |
|
|
|
|
|
|
| ارسال پیام به نویسنده مسئول |
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
.jpg)
